Preparation and ionic conductivity of Ag8GeS6-based ceramic materials

Анотація

Abstract. Herein we present the results of the study of ceramic materials made on the basis of Ag8GeS6 powders with different dispersion. The average grain size of microcrystalline powders is 10…20 µm, and that of nanocrystalline powders is ~140 and ~180 nm, respectively. The powdered materials were investigated using the XRD and SEM methods. The Ag8GeS6-based ceramic samples were obtained by annealing (1073 K) of pressed (400 MPa) discs. Investigations of the ceramics surface by using the SEM and EDS methods indicate the homogeneity of the chemical composition of the obtained ceramics. The electrical conductivity of the obtained ceramics was studied using impedance spectroscopy in a wide frequency (1·101…3·105 Hz) and temperature (293…383 K) ranges. For all these ceramics, an increase in electrical conductivity with increasing frequency is observed. Based on the obtained results, the values of ionic conductivity and activation energy of the corresponding Ag8GeS6 ceramic samples were determined.
Анотація. У даній роботі представлено результати дослідження керамічних матеріалів, виготовлених на основі порошків Ag8GeS6 з різною дисперсністю. Середній розмір зерна мікрокристалічного порошку становить 10…20 мкм, а нанокристалічних ~140 нм i ~180 нм. Порошкоподібні матеріали досліджено методами РФА та СЕМ. Керамічні зразки на основі Ag8GeS6 одержано відпалом (1073 K) спресованих (400 MПа) дисків. Дослідження поверхні керамік методами СЕМ та енергодисперсійної рентгенівської спектроскопії вказують на однорідність хімічного складу одержаних керамік. Електричну провідність одержаних керамік досліджено методом імпедансної спектроскопії у широкому частотному (1·101…3·105 Гц) та температурному (293…383 K) діапазонах. Для всіх керамік спостерігається зростання електричної провідності з підвищенням частоти. За одержаними результатами встановлено значення іонної провідності та енергії активації відповідних керамічних зразків Ag8GeS6.

Опис

Contents: http://journal-spqeo.org.ua/n3_2023/n3_2023_contents.htm Editorial board: http://journal-spqeo.org.ua/EditorialBoard.html

Бібліографічний опис

In Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2023. Volume 26., № 3. pp. 270-277.

Зібрання

Endorsement

Review

Supplemented By

Referenced By

Creative Commons license

Except where otherwised noted, this item's license is described as Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States